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GT60J101


SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 600V
UGE 20V
IC 60A
Ptot 200W
TON/TOFF 400/500nS
TJ -
GT60J101 è un transistor silicio N-IGBT, Uce = 600V, Ic = 60A, d´application: stadi di potenza
Foto: -
fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999
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OEM:Toshiba Toky... [piú]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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GN6075E,MGY40N60
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GN6075E


SI N-IGBT transistor
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GFX
UCE 600V
UGE 20V
IC 75A
Ptot 250W
TON/TOFF 1/1.2µS
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GN6075E è un simili transistor silicio N-IGBT, Uce = 600V, Ic = 75A, d´application: stadi di potenza
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Prodotto simile: GN6075E
OEM:Hitachi Ltd.... [piú]
Hitachi Ltd. Japan
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MGY40N60


SI N-IGBT transistor
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GFX
UCE 600V
UGE 20V
IC 66A
Ptot 260W
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Prodotto simile: MGY40N60
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Motorola Semiconductor Products Inc.
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